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AON6450L  与  BSC123N10LS G  区别

型号 AON6450L BSC123N10LS G
唯样编号 A-AON6450L A-BSC123N10LS G
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 10mΩ
上升时间 - 25ns
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 114W
Qg-栅极电荷 - 68nC
栅极电压Vgs - 20V
正向跨导 - 最小值 - 49S
典型关闭延迟时间 - 41ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-DFN(5x6) -
连续漏极电流Id 52A(Tc) 71A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS2
长度 - 5.9mm
下降时间 - 7ns
典型接通延迟时间 - 18ns
高度 - 1.27mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON6450L AOS  数据手册 功率MOSFET

8-DFN(5x6)

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BSC159N10LSF G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC159N10LSFGATMA1_5.9mm

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